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工頻介電常數介質(zhì)損耗測試儀(采用西林電橋)

型 號GDAT-B

更新時(shí)間2023-08-05

廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)廠(chǎng)家

報價(jià)

產(chǎn)品描述:介電常數介質(zhì)損耗試驗儀滿(mǎn)足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(cháng)在內)下電容率和介質(zhì)損耗因數的推薦方法

產(chǎn)品概述

BDAT-B型高壓電容電橋

主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線(xiàn)路。
主要可以測量電容器,互感器,變壓器,各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tg)和電容量( Cx)以,其測量線(xiàn)路采用“正接法”即測量對地絕緣的試品。
由于電橋內附有一個(gè)2500KV的高壓電源及一臺高壓標準電容器,并將副橋和檢流計與高壓電橋有機的結合在一起,所以本電橋特別適應測量各類(lèi)絕緣油和絕緣材料的介損(tg)及介電常數(ε)。
 橋體本身帶有5Kv/100pF標準電容,測量材料介損更為方便。
橋體內附電位跟蹤器及指另儀,外圍接線(xiàn)及少。
 橋體采用了多樣化的介損測量線(xiàn)路。

技術(shù)指標

測量范圍及誤差
    在Cn=100pF    R4=3183.2(?)(即10K/π)時(shí)

   測量項目       測量范圍             測量誤差               
  電容量Cx       40pF--20000pF      ±0.5%  Cx±2pF     
 介質(zhì)損耗tg?      0~1              ±1.5%tg?x±0.0001

  在Cn=100pF      R4=318.3(?)(即1K/π)時(shí)

   測量項目       測量范圍             測量誤差               
  電容量Cx       4pF--2000pF      ±0.5%  Cx±3pF     
 介質(zhì)損耗tg?      0~0.1          ±1.5%tg?x±0.0001
Cx=R4×Cn/R3
tg?=ω?R4?C4
電容量及介損顯示精度:
    電容量: ±0.5%×tgδx±0.0001。
    介  損: ±0.5%tg?x±1×10-4
高壓電源技術(shù)特性
電壓輸出:0~5000V/50Hz
高壓電流輸出:0~10mA
內置標準電容器
      電容量為100pF
                   tg小于5X10-5

介電常數介質(zhì)損耗試驗儀

介電常數介質(zhì)損耗試驗儀:GDAT-A
介電常數介質(zhì)損耗試驗儀滿(mǎn)足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(cháng)在內)下電容率和介質(zhì)損耗因數的推薦方法
     GDAT-A       
介電常數介質(zhì)損耗試驗儀的詳細資料:
 一、   介電常數介質(zhì)損耗試驗儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復合材料等的一項重要的物理性質(zhì),通過(guò)測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數的各種因素,為提高材料的性能提供依據;儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數字鎖定,標準頻率測試點(diǎn)自動(dòng)設定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉換,數值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調諧回路,使得調諧測試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。 

電感:
 
線(xiàn)圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH           
  1   25MHz,50MHz   233,211    0.9       0.125μH

 

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